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    題名: Microstructural evolution in a multiple composite layer of GaN on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy
    作者: Yang,CC;Wu,MC;Lee,CH;Chi,GC
    貢獻者: 光電科學研究中心
    關鍵詞: BUFFER LAYER;FILMS;DEPOSITION
    日期: 2000
    上傳時間: 2010-07-07 15:51:15 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Using cross-section transmission electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction measurements, this work investigates the defect reduction in a wurtize GaN thin film with a multiple composite layer grown by atmospheric-pressure organometallic
    關聯: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    顯示於類別:[光電科學研究中心] 期刊論文

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