InGaN/GaN light emitting diodes activated in O-2 ambient

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题名:	InGaN/GaN light emitting diodes activated in O-2 ambient
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Chen,JF;Wu,LW;Sheu,JK;Chen,CH;Chi,GC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	P-TYPE GAN;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;MG;CONTACT;OXYGEN;FILMS
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 15:50:41 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Mg-doped GaN epitaxial layers were annealed in pure O-2 and pure N-2. It was found that we could achieve a low-resistive p-type GaN by pure O-2 annealing at a temperature as low as 400 degreesC. With a 500 degreesC annealing temperature, it was found that
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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