Influence of Si-doping on the characteristics of InGaN-GaN multiple quantum-well blue light emitting diodes

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題名:	Influence of Si-doping on the characteristics of InGaN-GaN multiple quantum-well blue light emitting diodes
作者:	Wu,LW;Chang,SJ;Wen,TC;Su,YK;Chen,JF;Lai,WC;Kuo,CH;Chen,CH;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	MG-DOPED GAN;PHOTODETECTORS;SAPPHIRE
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:50:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A detailed study on the effects of Si-doping in the GaN barrier layers of InGaN-GaN multiquantum well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) has been performed. Compared with unintentionally doped samples, X-ray diffraction results indicate that Si-doping in
關聯:	IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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