Nitride-based near-ultraviolet multiple-quantum well light-emitting diodes with AlGaN barrier layers

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题名:	Nitride-based near-ultraviolet multiple-quantum well light-emitting diodes with AlGaN barrier layers
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Sheu,JK;Wen,TC;Lai,WC;Tsai,JM;Chen,SC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;GAN;INGAN;SI;OPERATION;ALN
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 15:50:17 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The In0.05Ga0.95N/GaN, In0.05Ga0.95l0.1Ga0.9N, and In0.05Ga0.95L(0.18)Ga(0.82)N multiple-quantum well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) were prepared by metal-organic chemical-vapor deposition. (MOCVD). It was found that the 20-mA electroluminescen
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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