Dislocation reduction in GaN with multiple MgxNy/GaN buffer layers by metal organic chemical vapor deposition

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题名:	Dislocation reduction in GaN with multiple MgxNy/GaN buffer layers by metal organic chemical vapor deposition
作者:	Tun,C. J.;Kuo,C. H.;Fu,Y. K.;Kuo,C. W.;Pan,C. J.;Chi,G. C.
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	LIGHT-EMITTING-DIODES;LASER-DIODES;MQW LEDS;SCATTERING;SUBSTRATE;EVOLUTION;GROWTH;FILMS
日期:	2007
上传时间:	2010-07-07 15:49:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Unintentionally doped GaN epitaxial layers with a conventional single low temperature (LT) GaN buffer layer and with multiple MgxNy/GaN buffer layers were grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. The multiple MgxNy/GaN buff
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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