Self-assembled InN dots grown on GaN with an In0.08Ga0.92N intermediate layer by metal organic chemical vapor deposition

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題名:	Self-assembled InN dots grown on GaN with an In0.08Ga0.92N intermediate layer by metal organic chemical vapor deposition
作者:	Fu,Y. K.;Kuo,C. H.;Tun,C. J.;Kuo,C. W.;Lai,W. C.;Chi,G. C.;Pan,C. J.;Chen,M. C.;Hong,H. F.;Lan,S. M.
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	INDIUM NITRIDE;BAND-GAP;QUANTUM DOTS;PHASE EPITAXY;ALLOYS;FILMS
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-07 15:49:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Indium nitride (InN) dots grown on sapphires by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with an In0.08Ga0.92N intermediate layer were demonstrated. Inserting an In0.08Ga0.92N layer between InN and GaN reduced the average size of InN dots, increase
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH????
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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