Self-assembled InN dots grown on GaN with an In0.08Ga0.92N intermediate layer by metal organic chemical vapor deposition

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题名:	Self-assembled InN dots grown on GaN with an In0.08Ga0.92N intermediate layer by metal organic chemical vapor deposition
作者:	Fu,Y. K.;Kuo,C. H.;Tun,C. J.;Kuo,C. W.;Lai,W. C.;Chi,G. C.;Pan,C. J.;Chen,M. C.;Hong,H. F.;Lan,S. M.
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	INDIUM NITRIDE;BAND-GAP;QUANTUM DOTS;PHASE EPITAXY;ALLOYS;FILMS
日期:	2008
上传时间:	2010-07-07 15:49:04 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Indium nitride (InN) dots grown on sapphires by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with an In0.08Ga0.92N intermediate layer were demonstrated. Inserting an In0.08Ga0.92N layer between InN and GaN reduced the average size of InN dots, increase
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH????
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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