English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41940987 線上人數 : 1061
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUIR
研究中心
光電科學研究中心
--研究計畫
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
研究中心
>
光電科學研究中心
>
研究計畫
>
Item 987654321/94083
資料載入中.....
書目資料匯出
Endnote RIS 格式資料匯出
Bibtex 格式資料匯出
引文資訊
資料載入中.....
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94083
題名:
前瞻氮化鎵晶片與其在高效率高功率密度電源轉換器之應用( I )
;
Advanced Gan Chips and Their Application in High Efficiency High Power Density Converters( I )
作者:
綦振瀛
;
邱顯欽
;
杜長慶
;
辛裕明
;
夏勤劉
;
宇晨楊
貢獻者:
國立中央大學光電科學研究中心
關鍵詞:
氮化鎵
;
電源轉換器
;
封裝
;
熱管理
;
GaN
;
power converter
;
packaging
;
thermal management
日期:
2024-09-27
上傳時間:
2024-09-30 15:52:24 (UTC+8)
出版者:
國家科學及技術委員會(本會)
摘要:
本計畫所培育之人才不僅涉及半導體技術,更可跨域於後段電源供應器實際應用,具備台灣半導體業界所需的深度和實作經驗,使其未來能夠在台灣半導體與應用領域中成為傑出的專業人才,為台灣氮化鎵半導體產業鏈建立更高的自主比例,提升產業國際競爭力。
關聯:
財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:
[光電科學研究中心] 研究計畫
文件中的檔案:
檔案
描述
大小
格式
瀏覽次數
index.html
0Kb
HTML
38
檢視/開啟
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
社群 sharing
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明