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    題名: 高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立( II );GaN Epitaxial Development, Devices Reliability and Modeling( II )
    作者: 辛裕明;綦振瀛
    貢獻者: 國立中央大學光電科學研究中心
    日期: 2021-12-21
    上傳時間: 2021-12-23 13:25:16 (UTC+8)
    出版者: 科技部
    摘要: 研究方式：學術補助 ;研究期間：11005 ~ 11104;研究領域：電子電機工程;
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[光電科學研究中心] 研究計畫

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