氮化鎵藍光雷射二極體技術研究---子計畫II：氮化鎵系列材料P-N界面之形成及其物性與結構之研究(I);The Formation of P-N Junction and It's Properties to Structure Correction Study for GaN Materials (I)

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题名:	氮化鎵藍光雷射二極體技術研究---子計畫II：氮化鎵系列材料P-N界面之形成及其物性與結構之研究(I);The Formation of P-N Junction and It's Properties to Structure Correction Study for GaN Materials (I)
作者:	紀國鐘
贡献者:	中央大學光電科學研究中心
关键词:	電子電機工程類;光電工程;PN接面;氮化鎵;結構;藍光雷射二極體;PN junction;GaN;Structure;Blue laser diode
日期:	1999-09-01
上传时间:	2012-10-01 14:50:41 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	研究期間 8708 ~ 8807
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[光電科學研究中心] 研究計畫

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