離子佈植式平面型氮化鎵PIN UV檢測器之研製;+B3290Planar GaN-Based PIN UV Photodetectors Formed by Si-Implantation

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題名:	離子佈植式平面型氮化鎵PIN UV檢測器之研製;+B3290Planar GaN-Based PIN UV Photodetectors Formed by Si-Implantation
作者:	紀國鐘;許進恭
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	離子佈植;紫外光檢測器;氮化鎵;光響應度;暫態響應;歐姆接觸;PIN;GaN;光電工程
日期:	2005-07-01
上傳時間:	2010-11-30 16:04:22 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計劃主要是平面式GaN-based PIN UV 檢測器，計畫要點分別概述如下：本研究計畫主要研究以離子佈植技術應用於GaN 材料，形成平面式的PIN UV 光檢測器，以下為主要的一些研究方向: 1.研究以離子佈植技術將離子植入GaN 材料中，其材料電特性與光特性上的變化。 2.應用適當的離子源與離子濃度將 p-type GaN 轉變成n-type GaN 後，定義元件幾何形狀形成平面式之PIN UV 光檢測器。 3.比較傳統之磊晶成長結構所製作之PIN UV 光檢測器與離子佈植方式所製作之PIN UV 光檢測器，改變I-layer 吸收層之厚度，研究其對元件之 breakdown voltage 和responsivity 特性上的影響與不同之處，希望在吸收頻譜上得到相同或更為陡峭之cutoff 曲線。 4.為了減少磊晶的層數與製程複雜度，希望利用離子佈植的方式將元件所需的磊晶層分別完成,並且盡可能保有同磊晶方式成長製作的元件特性，是我們重點研究的方向之一。 5.為了高頻之操作，空乏區必須儘可能縮小或減少遷移時間，另一方面，為了增加量子效率，空乏區必須夠厚以使大部份之入射光被吸收，因此在響應速度與量子效率之間必須有所選擇，找尋平衡點是我們的研究方向之一。 6.使用在GaN-based PIN UV 光檢測器上，測量其光響應頻譜和光電流，研究GaN 材料經由離子植入後的表面能態與能隙結構之物理特性。 7.同時也要考慮元件雜訊對於信號擷取與辨析能力的影響，我們可利用頻譜分析儀來量測其信號大小，因為當入射光功率降低，則信號與雜訊一樣大時，如此將使光檢測器就失去檢測的功能。 8.平面式PIN 光檢測器之結構,希望藉由量測元件之暫太響應時間，量子效率和穿隧電流等特性。 9. 將PIN 元件結構給平面化處理進行設計與開發研究，如此將利於元件與其他電路系統之整合，且大幅降低元件製作之成本，以利國家在研究能力與科技發展之國際競爭力的提升。研究期間：9308 ~ 9407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

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