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    題名: 高溫、高功率、高頻之氮化鋁鎵/氮化鎵PHEMT元件及高響應特性PIN;UV檢測器之研製 Fabrication of High-Temperature, High-Power, High-Speed AlGaN/GaN PHEMT and High Frequency Response AlGaN/GaN PIN UV Detectors
    作者: 紀國鐘
    貢獻者: 光電科學研究中心
    關鍵詞: 高溫;高功率;高頻;氮化鋁;氮化鎵;PHEM元件;PIN UV檢測器;High temperature;High power;High frequency;AlN;GaN;PHEM device;PIN UV detector;光電工程
    日期: 2002-07-01
    上傳時間: 2010-11-03 11:43:17 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 研究期間：9008 ~ 9107
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[光電科學研究中心] 研究計畫

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