The doping process of p-type GaN films

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題名:	The doping process of p-type GaN films
作者:	Chi,GC;Kuo,CH;Sheu,JK;Pan,CJ
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;MG;PHOTOLUMINESCENCE
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 15:51:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The formation of p-type GaN him is a key technology in developing optoelectronic devices. P-type doping (concentration similar to 10(17) cm(-3)) has been achieved in grown GaN by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) with Mg (CP2Mg) doping. The H
關聯:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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