Novel type of ohmic contacts to p-doped GaN using polarization fields in thin InxGa1-xN capping layers

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題名:	Novel type of ohmic contacts to p-doped GaN using polarization fields in thin InxGa1-xN capping layers
作者:	Gessmann,T;Li,YL;Waldron,EL;Graff,JW;Schubert,EF;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:50:51 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Thin p-doped InGaN layers on p-doped GaN were successfully used to demonstrate a new type of low-resistance ohmic contact. A significant reduction of specific contact resistance can be achieved. by increasing the free-hole concentration and the probabilit
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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