Low temperature activation of Mg-doped GaN in O-2 ambient

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题名:	Low temperature activation of Mg-doped GaN in O-2 ambient
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Sheu,JK;Chen,CH;Chi,GC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	P-TYPE GAN;COMPENSATION
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 15:50:44 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, Mg-doped GaN epitaxial layers were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) and annealed in O-2 air and N-2. It was found that we could achieve a low-resistive p-type GaN by O-2-ambient annealing at a temperature as low as 400degre
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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