Characterization of Si implants in p-type GaN

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题名:	Characterization of Si implants in p-type GaN
作者:	Sheu,JK;Lee,ML;Tun,CJ;Kao,CJ;Yeh,LS;Chang,SJ;Chi,GC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	MG-DOPED GAN;YELLOW LUMINESCENCE;ION-IMPLANTATION;ELECTRICAL-PROPERTIES;OHMIC CONTACT;PHOTOLUMINESCENCE;BAND;ACTIVATION;PHOTODETECTORS;TEMPERATURE
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 15:50:34 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Si ion implantation into p-type GaN followed by rapid thermal annealing (RTA) in N-2 has been performed. X-ray diffraction analyses indicate that ion-implanted damage remains even with 1050 degreesC, 60 s RTA. By varying implantation and postimplantation
關聯:	IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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