Angle-dependent x-ray absorption spectroscopy study of Zn-doped GaN

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題名:	Angle-dependent x-ray absorption spectroscopy study of Zn-doped GaN
作者:	Chiou,JW;Mookerjee,S;Rao,KVR;Jan,JC;Tsai,HM;Asokan,K;Pong,WF;Chien,FZ;Tsai,MH;Chang,YK;Chen,YY;Lee,JF;Lee,CC;Chi,GC
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	EPITAXIAL GAN;MG;CONDUCTION;HYDROGEN;DIODES
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:50:32 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	As-grown and Zn-implanted wurtzite GaN samples have been studied by angle-dependent x-ray absorption near edge structure (XANES) measurements at the N and Ga K-edges and the Ga L-3-edge. The angle dependence of the XANES spectra shows that the Ga-N bonds
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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