Nitride-based green light-emitting diodes with high temperature GaN barrier layers

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题名:	Nitride-based green light-emitting diodes with high temperature GaN barrier layers
作者:	Wu,LW;Chang,SJ;Su,YK;Chuang,RW;Wen,TC;Kuo,CH;Lai,WC;Chang,CS;Tsai,JM;Sheu,JK
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	QUANTUM-WELL BLUE;INGAN-GAN;GROWTH TEMPERATURE;SI
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 15:50:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-quality InGaN-GaN multiquantum well (MQW) light-emitting diode (LED) structures were prepared by temperature ramping method during metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth. It was found that we could reduce the 20-mA forward voltage and
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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