Experimental study of perpendicular transport in weakly coupled AlxGa1-xN/GaN superlattices

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題名:	Experimental study of perpendicular transport in weakly coupled AlxGa1-xN/GaN superlattices
作者:	Waldron,EL;Li,YL;Schubert,EF;Graff,JW;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	ALGAN/GAN SUPERLATTICES;ACCEPTOR ACTIVATION
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 15:49:49 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Perpendicular transport characteristics of n-type AlxGa1-xN/GaN superlattices are presented. Planar and mesa-etched superlattice structures are employed to identify the perpendicular resistance. Perpendicular transport measurements in Al0.22Ga0.78N/GaN su
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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