Deep level defect in Si-implanted GaN n(+)-p junction

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題名:	Deep level defect in Si-implanted GaN n(+)-p junction
作者:	Chen,XD;Huang,Y;Fung,S;Beling,CD;Ling,CC;Sheu,JK;Lee,ML;Chi,GC;Chang,SJ
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	N-TYPE GAN;MG-DOPED GAN;TRANSIENT SPECTROSCOPY;SURFACE-STATES;DLTS SPECTRA;GAAS-MESFETS;EPITAXY;REGION
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 15:49:47 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A deep level transient spectroscopy (DLTS) study has been performed on a GaN n(+)-p junction fabricated by implanting Si into a Mg-doped p-type GaN epilayer. A high concentration of a deep level defect has been revealed within the interfacial region of th
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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