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    題名: Nitride-based LEDs with an SPS Tunneling contact layer and an ITO transparent contact
    作者: Chang,SJ;Chang,CS;Su,YK;Chuang,RW;Lai,WC;Kuo,CH;Hsu,YP;Lin,YC;Shei,SC;Lo,HM;Ke,JC;Sheu,JK
    貢獻者: 光電科學研究中心
    關鍵詞: LIGHT-EMITTING-DIODES;QUANTUM-WELL BLUE;INGAN-GAN;OPERATION
    日期: 2004
    上傳時間: 2010-07-07 15:49:41 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The indium-tin-oxide [ITO(80 nm)] and Ni(5 nm)-Au(10 nm) films were separately deposited on glass substrates, p-GaN layers, n()-InGaN-GaN short-period-superlattice (SPS) structures, and nitride-based light-emitting diodes (LEDs). It was found that ITO on
    關聯: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
    顯示於類別:[光電科學研究中心] 期刊論文

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