Photoluminescence of ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35712

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35712

題名:	Photoluminescence of ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
作者:	Pan,CJ;Tu,CW;Song,JJ;Cantwell,G;Lee,CC;Pong,BJ;Chi,GC
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	ROOM-TEMPERATURE;THIN-FILMS;EMISSION;GAN
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-07 15:49:35 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Photoluminescence (PL) of homoepitaxial and heteroepitaxial ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy is studied. Homoepitaxial ZnO layers were grown oil an O-face melt-grown ZnO (000 1) substrate. Heteroepitaxial ZnO layers were grown on
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	688	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing