Fabrication of low-stress SiNxHy membranes deposited by PECVD

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題名:	Fabrication of low-stress SiNxHy membranes deposited by PECVD
作者:	Chen,J. Y.;Liao,Y. M.;Lee,C. C.;Chi,G. C.
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	SILICON-NITRIDE
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-07 15:49:16 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	SiNx films deposited on silicon in a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) reactor from a mixture gas of SiH4 and NH3 are investigated as an alternative method for low-stress membrane fabrication. We verified that the stress in the silicon nit
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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